Programa del congreso

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Resumen de las sesiones
Sesión
J.2.4: CCP: Componentes y Circuitos Pasivos de Microondas
Hora:
Jueves, 05/09/2024:
13:00 - 14:30

Presidente de la sesión: Ángel Belenguer Martínez, Universidad de Castilla-La Mancha, España
Presidente de la sesión: Stephan Marini, Universidad de Alicante, España
Lugar: Sala 4 - Aula 2.23


Ponencias
13:00 - 13:15

Analysis of Qubit-Cavity System for Axion Detection Experiment

Padilla Gandía, Marc1; Díaz Morcillo, Alejandro Benedicto1; Navarro Madrid, Jose Ramón1; Díez Ibáñez, David2

1Dpto. de Tecnologías de la Información y las Comunicaciones, Universidad Politécnica de Cartagena, España; 2Centro de Astropartículas y Física de Altas Energías (CAPA), Universidad de Zaragoza, España

This article introduces the bases for the search of dark matter and the use of 3D transmon qubits, which will be used as single photon counters to improve the final sensitivity of the experiment. A system of two cavities and a qubit in between them is simulated, and the characteristics of the qubit are analyzed considering different sizes and positions for the multiple variables that define the geometry of the experiment. The objective of this work is to obtain a qubit-cavity system with ideal properties such as a high Purcell time, high coupling strengths and high quality factors for the cavities.

105-Analysis of Qubit-Cavity System for Axion Detection Experiment-105.pdf


13:15 - 13:30

Estudio de sintonización de cavidades para experimentos de detección de materia oscura mediante superficies con diodos varactores

Navarro Madrid, Jose Ramón; Álvarez Melcón, Alejandro; Díaz Morcillo, Alejandro

Universidad Politécnica de Cartagena, España

En este artículo se presenta un estudio de la sintonización eléctrica de cavidades resonantes para experimentos con axiones de materia oscura utilizando una superficie periódica y diodos varactores. Se ha realizado un análisis de la superficie para adaptarla al rango de frecuencias al rango de frecuencias objetivo, y se ha probado su funcionamiento en cavidades resonantes en banda C, con buenos resultados en términos de en términos de sintonización.

107-Estudio de sintonización de cavidades para experimentos de detección de materia oscura mediante s.pdf


13:30 - 13:45

Optimizando espurios en guía de onda rectangular, combinando estructuras inductivas y capacitivas

Melcón Ruano, Paula; Oliva Aparicio, Antonio; Álvarez Melcón, Alejandro

Universidad Politécnica de Cartagena, España

En esta contribución, se aborda el diseño de filtros en guía rectangular que combinan iris inductivos y capacitivos, con el propósito de investigar sus respuestas espurias a frecuencias situadas tanto por encima como por debajo de la banda de paso. Asimismo, se procederá con el diseño de filtros basados en singlets, donde se evaluará cómo afecta la posición del cero de transmisión en las respuestas espurias, y las posibilidades de combinarlos con iris inductivos y capacitivos.

125-Optimizando espurios en guía de onda rectangular, combinando estructuras inductivas y capacitivas-125.pdf


13:45 - 14:00

Diseño de Divisores de Potencia en Diferentes Realizaciones de Guías Groove Gap Waveguide en la Banda de Milimétricas

Martín-Núñez, Álvaro; Ferrando-Rocher, Miguel; Herranz-Herruzo, José Ignacio

Universitat Politècnica de València, España

The design of 1-to-2 power splitters based on Ka-band groove gap waveguide (GGW) technology is presented. A comparison of four splitters in both the GGW and the half-mode GGW version is presented. The perfect magnetic conductor condition is implemented using either metallic nails or mushrooms on a substrate. The splitters have an operating bandwidth between 27 and 31 GHz with a matching level below $-$20 dB. A loss comparison between the different waveguides is shown, and the designed splitters confirm the difference in performance between the different waveguide topologies used.

175-Diseño de Divisores de Potencia en Diferentes Realizaciones de Guías Groove Gap Waveguide en la Banda de M.pdf


14:00 - 14:15

Equivalent Circuit Model of RF Power Detection with AlGaN/GaN HEMTs up to 67 GHz

Paz Martínez, Gaudencio1; García Sánchez, Sergio1; Íñiguez de la Torre, Ignacio1; Artillan, Philippe2; González Sánchez, Tomás1; Mateos López, Javier1

1Applied Physics Department, and USAL-NANOLAB, Universidad de Salamanca, 37008 Salamanca, Spain; 2Univ. Grenoble Alpes, Univ. Savoie Mont Blanc, CNRS, Grenoble INP, CROMA, 38000 Grenoble, France

The responsivity of zero-bias detectors based on high mobility transistors (HEMTs) is studied using measurements up to 67 GHz and a complete small-signal equivalent circuit (SSEC) model, together with a closed-form analytical expression, is used to reproduce the experimental results. The frequency response in drain injection configuration is analyzed as a function of the equivalent circuit elements and the gate bias. The values of the intrinsic and extrinsic elements of the device are compared with those obtained with Monte Carlo simulations of the intrinsic region of the device, showing a very good agreement.

230-Equivalent Circuit Model of RF Power Detection with AlGaNGaN HEMTs up-230.pdf