Programa del congreso

Resúmenes y datos de las sesiones para este congreso. Seleccione una fecha o ubicación para mostrar solo las sesiones en ese día o ubicación. Seleccione una sola sesión para obtener una vista detallada (con resúmenes y descargas, si están disponibles).

 
 
Resumen de las sesiones
Sesión
V.1.3: CDA: Circuitos y Dispositivos Activos de Microondas
Hora:
Viernes, 06/09/2024:
9:00 - 11:00

Presidente de la sesión: José Angel García García, Universidad de Cantabria, España
Presidente de la sesión: María José Madero Ayora, Universidad de Sevilla, España
Lugar: Sala 3 - Aula 2.20


Ponencias
9:00 - 9:15

Extracción de Modelos Funcionales para Transistores de Alta Frecuencia

Martín Rodríguez, Fernando1; Moure, Mª. Rocío1; Morales Fernández, Ainhoa1; Mónica, Fernández Barciela1; Paul J., Tasker2

1Universidad de Vigo, España; 2Cardiff University, UK

Esta comunicación describe las herramientas de software desarrolladas en entorno MATLAB para extraer modelos funcionales para transistores de microondas a partir de medidas reales de RF calibradas (medidas Load-Pull). Estas herramientas permiten extraer modelos lineales y no lineales.

Los modelos lineales están limitados a una sola impedancia y a valores de pequeña señal. Estos modelos son los parámetros S, Y y Z de pequeña señal.

Los modelos no lineales extraídos se basan en los modelos de Cardiff:

modelo A-B convencional, Cardiff filtrado, modelo avanzado de Cardiff y modelo Cardiff suavizado.

Se han diseñados aplicaciones auxiliares para importar datos de medición calibrados y

también para generar gráficos de prueba para evaluar los modelos extraídos.

Finalmente, se ha explorado otro tipo de modelo, basado ​​en redes neuronales artificiales. Otra aplicación MATLAB ha sido diseñada para entrenar redes neuronales superficiales: tipo perceptrón multicapa (MLP), con un nivel oculto.

Para todos los modelos se calcula un factor de mérito consistente en la SNR en dB, obtenida comparando las mediciones (señal deseada) con las predicciones del modelo (señal recibida). Gracias a esto se comprueba que todos los modelos extraídos obtienen buenos resultados para todos y se hace una comparación entre ellos.

134-Extracción de Modelos Funcionales para Transistores de Alta Frecuencia-134.pdf


9:15 - 9:30

Amplificador 2-10 GHz de 20 W y 25% PAE para Sistemas RF Multifunción Utilizando la Tecnología GaN pHEMT 0.25um de Leonardo

Prieto, Alvaro1; Ferreras, Alfonso1; Jiménez Martín, José Luis2; Montero de Paz, Javier1; Oreja Gigorro, Eduardo1; González Posadas, Vicente2; Sánchez Martínez, Juan José1

1INDRA SISTEMAS S.A., España; 2UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID

This paper presents the design and measurement of a High Power Amplifier (HPA) for Multifunction RF (MFRF) systems. The amplifier have been designed employing Leonardo’s

pHEMT GaN process with 250 nm of gate length (LDO GN25). The amplifier achieves more than 43 dBm of output power with a power added efficiency higher than 20% in the 2-10 GHz frequency band. This HPA is a suitable amplifier to be integrated in the future Transmit and Receive Modules (TRMs) for Active Electronically Scanned Array (AESA) systems that include Radar, Electronic Warfare (EW) and Communications (COMMs) capabilities in the same system.

144-Amplificador 2-10 GHz de 20 W y 25 PAE para Sistemas RF Multifunción Utilizando la Tecnología GaN pHEMT 0.pdf


9:30 - 9:45

Diseño de un Sensor Activo Basado en Análisis de la Estabilidad con Identificación Polo-Cero

Santiago Mesas, Sandra1; Fernández Aranzamendi, Elizabeth1; Amor Martín, Adrián1; González Posadas, Vicente2; Segovia Vargas, Daniel1

1Universidad Carlos III de Madrid, España; 2Universidad Politécnica de Madrid, España

Pole-Zero Identification has been applied for a large-signal stability-based design of an oscillator for active sensing. The oscillator is formed by a Complementary Split Ring

Resonator (CSRR) and an active feedback. Prototypes has been manufactured to validate the sensing capability when placing different electrically well-known liquids (acetone, methanol and deionized water). Although promising results have been obtained for dielectric characterization given the high frequency selectivity of the oscillator, further work is required to characterize electromagnetic losses.

148-Diseño de un Sensor Activo Basado en Análisis de la Estabilidad con Identificación Polo-Cero-148.pdf


9:45 - 10:00

Unconditional stability test of a 4-port device

Mateo Goñi, Aimar; Terrer, Jorge; Pérez de Cárcamo, Iker; Collantes, Juan-Mari

Universidad del País Vasco, UPV/EHU, España

Small-signal unconditional stability versus load terminations must be evaluated for reliable operation of microwave amplifiers. While extensively studied in 2-port devices, extending stability analysis to N>2 port configurations remains challenging due to the lack of streamlined methodologies. Existing tools often necessitate the use of multiple programs to assess intrinsic stability and unconditional stability, adding complexity to the process. This paper introduces an innovative approach by presenting an all-in-one simulation method for evaluating unconditional stability in 4-port devices using exclusively Advanced Design System (ADS) CAD platform. The Ohtomo’s method implemented through Winslow probes is used to verify the proviso while parametrized S-parameter simulation data are used for calculating the geometrical µ factor. Obtained simulation results are compared with measured data for a 4-port amplifier prototype.

152-Unconditional stability test of a 4-port device-152.pdf


10:00 - 10:15

Regresión Sparse de Modelos de Amplificadores de Potencia con un DOMP por Etapas

Marqués Valderrama, Elías; Nogales González-Regueral, Miguel; Becerra González, Juan Antonio; Madero Ayora, María José

Universidad de Sevilla, España

Este trabajo presenta la regresión sparse de modelos de comportamiento basados en la serie de Volterra y predistorsionadores digitales (DPDs) mediante un Stagewise Doubly Orthogonal Matching Pursuit (StDOMP). Se presenta el marco teórico general de las regresiones sparse y se formula el StDOMP aplicando una estrategia por etapas al algoritmo DOMP, i.e., permitiendo que la técnica seleccione un bloque de componentes en cada iteración sin necesidad de realizar una iteración por átomo. La selección por bloques permite reducir la complejidad computacional hasta cierto punto donde se espera que se degraden las prestaciones. Los resultados experimentales destacan el comportamiento de la técnica en la predistorsión de un amplificador de potencia (PA) clase AB trabajando en su régimen no lineal, concluyendo que el StDOMP es capaz de reducir el tiempo de ejecución al mismo tiempo que mantiene el nivel de prestaciones con respecto a DOMP.

167-Regresión Sparse de Modelos de Amplificadores de Potencia con un DOMP por Etapas-167.pdf


10:15 - 10:30

Amplificadores Clase E con Modos de Operación en Función del Ancho de Banda

Pérez San Miguel, Ana; Morales Romero, Ildemaro José; García García, José Angel

Universidad de Cantabria, España

Este trabajo aborda el diseño comparativo de dos amplificadores de potencia (APs) de alta eficiencia en banda L, con diferente requerimiento de ancho de banda, para su uso en arquitecturas de transmisión inalámbrica con modulación de la carga. La generalización de las ecuaciones de diseño de un clase E ofrece la flexibilidad para seleccionar la inductancia de polarización del drenador y la red de salida asociada, de modo a cubrir el ancho de banda deseado. Los APs a GaN HEMT implementados, destinados a funcionar en una sola (E5) o dos (E5 y E6) bandas del sistema de navegación Galileo, proporcionan una potencia de salida de alrededor de 40 dBm junto con una eficiencia superior al 75%.

190-Amplificadores Clase E con Modos de Operación en Función del Ancho de Banda-190.pdf


10:30 - 10:45

Ridge Gap Waveguide basada en fotoresina para el diseño de componentes activos en la banda de sub-THz.

Martínez Armas, Fidel1; Ederra, Iñigo1,2; Pérez-Escudero, Jose M.1,2

1Dpto. Ingeniería Eléctrica, Electrónica y de Comunicación, Universidad Pública de Navarra, Pamplona; 2Instituto de Smart Cities, Universidad Publica de Navarra, Pamplona.

In this paper a novel configuration for ridge gap waveguide (RGW) that allows work at three different frequency bands is presented. The proposed configuration, which uses a

metallized photoresist ridge, lays the groundwork for alternative solutions to address packaging and manufacturing at these frequencies, even the integration of non-lineal devices. Validation through simulation results within the 150-300 GHz and 1-15 GHz

bands confirmed satisfactory performance, featuring a return loss exceeding 15 dB and an insertion loss below 0.2 dB.

216-Ridge Gap Waveguide basada en fotoresina para el diseño de componentes activos en la banda de sub-THz-216.pdf